BSS84AK-Nexperia安世半导体

详细总结

1. 产品基本信息

  • 器件类型:P 沟道增强型场效应晶体管(Trench MOSFET)
  • 封装SOT23(TO-236AB) 表面贴装塑料封装,3 引脚(G 栅极、S 源极、D 漏极)。
  • 认证:通过 AEC-Q101 汽车电子可靠性认证,适用于汽车应用。

2. 关键参数与特性

2.1 极限参数
符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位
VDS 漏源电压 Tj=25°C -50 V
VGS 栅源电压 -20 20 V
ID 漏极电流 VGS=-10V, 25°C -180 mA
IDM 峰值漏极电流 单脉冲,tp≤10μs -0.7 A
Ptot 总功耗 25°C, 标准封装 350 mW
Tj/Tamb 结温 / 环境温度 -55 150 °C
2.2 静态特性
  • 导通电阻(RDSon)
    • VGS=-10V、ID=-100mA、25°C 时,4.5Ω(典型)~7.5Ω(最大)
    • 150°C 时增至8Ω(典型)~13.5Ω(最大)
  • 阈值电压(VGSth):ID=-250μA 时,-1.1V(最小)~-2.1V(最大)
  • 漏电流(IDSS):VDS=-50V、VGS=0V 时,25°C 最大 **-1μA**,150°C 最大 **-2μA**。
2.3 动态特性
  • 开关时间
    • 开通延迟时间 td (on)=13ns(典型)~26ns(最大),上升时间 tr=11ns(典型)
    • 关断延迟时间 td (off)=48ns(典型)~96ns(最大),下降时间 tf=25ns(典型)
  • 栅极电荷:总电荷 QG=0.26nC(典型)~0.35nC(最大),适用于高速开关。
2.4 其他特性
  • ESD 保护:HBM 模式下 1000V
  • 源漏二极管压降(VSD):IS=-115mA 时,25°C 典型值 -0.85V,最大 -1.2V

3. 应用场景

  • 继电器驱动:利用快速开关特性控制继电器通断。
  • 高速线路驱动:支持高频信号传输,减少延迟。
  • 高端负载开关:作为高侧开关控制负载电源,逻辑电平兼容便于驱动。
  • 开关电路:适用于需要低导通电阻和快速响应的场景。

4. 热特性

符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位
Rth(j-a) 结到环境热阻 标准封装 310 370 K/W
Rth(j-a) 结到环境热阻 漏极焊盘 1cm² 260 300 K/W
Rth(j-sp) 结到焊点热阻 115 K/W

5. 封装与引脚

  • 引脚定义
    • 1 脚:G(栅极),2 脚:S(源极),3 脚:D(漏极)。
  • 封装尺寸:符合 SOT23 标准,适合表面贴装,焊接推荐回流焊和波峰焊工艺。

关键问题

1. BSS84AK 的主要应用场景有哪些?其核心优势是什么?

  • 答案:主要应用于继电器驱动、高速线路驱动、高端负载开关、开关电路。核心优势包括:
    • 逻辑电平兼容:便于直接由微控制器驱动;
    • 快速开关特性:减少信号延迟,提升电路效率;
    • AEC-Q101 认证:满足汽车电子可靠性要求;
    • ESD 保护:1kV HBM 等级,增强抗静电能力。

2. 漏源导通电阻(RDSon)受哪些因素影响?具体数值如何变化?

  • 答案:RDSon 受 ** 栅源电压(VGS)、漏极电流(ID)、结温(Tj)** 影响:
    • VGS=-10V、25°C 时,ID=-100mA,RDSon 典型值4.5Ω,最大值7.5Ω
    • 结温升至 150°C 时,RDSon 典型值增至,最大值13.5Ω
    • VGS 降低至 – 5V 时,RDSon 增大至典型值5.7Ω,最大值8.5Ω(25°C,ID=-100mA)。

3. BSS84AK 的封装形式和 ESD 保护等级如何?引脚如何定义?

  • 答案
    • 封装:采用SOT23(TO-236AB) 3 引脚表面贴装封装,尺寸紧凑,适合高密度电路板;
    • ESD 保护:符合 HBM 标准,静电放电电压1000V,提升器件在生产和使用中的可靠性;
    • 引脚定义:1 脚为栅极(G),2 脚为源极(S),3 脚为漏极(D)。

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