- 器件类型:P 沟道增强型场效应晶体管(Trench MOSFET)
- 封装:SOT23(TO-236AB) 表面贴装塑料封装,3 引脚(G 栅极、S 源极、D 漏极)。
- 认证:通过 AEC-Q101 汽车电子可靠性认证,适用于汽车应用。
符号 |
参数 |
条件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
VDS |
漏源电压 |
Tj=25°C |
– |
– |
-50 |
V |
VGS |
栅源电压 |
– |
-20 |
– |
20 |
V |
ID |
漏极电流 |
VGS=-10V, 25°C |
– |
– |
-180 |
mA |
IDM |
峰值漏极电流 |
单脉冲,tp≤10μs |
– |
– |
-0.7 |
A |
Ptot |
总功耗 |
25°C, 标准封装 |
– |
– |
350 |
mW |
Tj/Tamb |
结温 / 环境温度 |
– |
-55 |
– |
150 |
°C |
- 导通电阻(RDSon):
- VGS=-10V、ID=-100mA、25°C 时,4.5Ω(典型)~7.5Ω(最大);
- 150°C 时增至8Ω(典型)~13.5Ω(最大)。
- 阈值电压(VGSth):ID=-250μA 时,-1.1V(最小)~-2.1V(最大)。
- 漏电流(IDSS):VDS=-50V、VGS=0V 时,25°C 最大 **-1μA**,150°C 最大 **-2μA**。
- 开关时间:
- 开通延迟时间 td (on)=13ns(典型)~26ns(最大),上升时间 tr=11ns(典型);
- 关断延迟时间 td (off)=48ns(典型)~96ns(最大),下降时间 tf=25ns(典型)。
- 栅极电荷:总电荷 QG=0.26nC(典型)~0.35nC(最大),适用于高速开关。
- ESD 保护:HBM 模式下 1000V。
- 源漏二极管压降(VSD):IS=-115mA 时,25°C 典型值 -0.85V,最大 -1.2V。
- 继电器驱动:利用快速开关特性控制继电器通断。
- 高速线路驱动:支持高频信号传输,减少延迟。
- 高端负载开关:作为高侧开关控制负载电源,逻辑电平兼容便于驱动。
- 开关电路:适用于需要低导通电阻和快速响应的场景。
符号 |
参数 |
条件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
Rth(j-a) |
结到环境热阻 |
标准封装 |
310 |
– |
370 |
K/W |
Rth(j-a) |
结到环境热阻 |
漏极焊盘 1cm² |
260 |
– |
300 |
K/W |
Rth(j-sp) |
结到焊点热阻 |
– |
– |
115 |
– |
K/W |
- 引脚定义:
- 1 脚:G(栅极),2 脚:S(源极),3 脚:D(漏极)。
- 封装尺寸:符合 SOT23 标准,适合表面贴装,焊接推荐回流焊和波峰焊工艺。
- 答案:主要应用于继电器驱动、高速线路驱动、高端负载开关、开关电路。核心优势包括:
- 逻辑电平兼容:便于直接由微控制器驱动;
- 快速开关特性:减少信号延迟,提升电路效率;
- AEC-Q101 认证:满足汽车电子可靠性要求;
- ESD 保护:1kV HBM 等级,增强抗静电能力。
- 答案:RDSon 受 ** 栅源电压(VGS)、漏极电流(ID)、结温(Tj)** 影响:
- VGS=-10V、25°C 时,ID=-100mA,RDSon 典型值4.5Ω,最大值7.5Ω;
- 结温升至 150°C 时,RDSon 典型值增至8Ω,最大值13.5Ω;
- VGS 降低至 – 5V 时,RDSon 增大至典型值5.7Ω,最大值8.5Ω(25°C,ID=-100mA)。
- 答案:
- 封装:采用SOT23(TO-236AB) 3 引脚表面贴装封装,尺寸紧凑,适合高密度电路板;
- ESD 保护:符合 HBM 标准,静电放电电压1000V,提升器件在生产和使用中的可靠性;
- 引脚定义:1 脚为栅极(G),2 脚为源极(S),3 脚为漏极(D)。

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