CA-IS3722HS-Q1-CHIPANALOG/上海川土微电子
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产品定位:
- CA-IS372x-Q1 系列为汽车级高速双通道数字隔离器,支持双向 / 单向信号隔离传输,采用二氧化硅绝缘栅技术,具备高电磁抗扰度和低辐射特性。
- 通过AEC-Q100 车规认证 Grade 1,适用于 – 40°C 至 125°C 严苛环境,无需启动初始化,提供 ** 默认输出高电平(H 后缀)或低电平(L 后缀)** 故障安全模式。
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型号差异:
- CA-IS3720:2 个前向通道(A→B);
- CA-IS3721:1 个前向(A→B)+1 个反向(B→A)通道;
- CA-IS3722:1 个反向(A→B)+1 个前向(B→A)通道(与 CA-IS3721 通道方向相反)。
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信号传输性能:
- 速率范围:DC 至150Mbps(典型值),支持高速数字信号隔离;
- 时序精度:12ns 典型传播延迟,1ns 脉冲宽度失真,2ns 通道间传播延迟偏差,5ns 最小脉冲宽度;
- 输入特性:施密特触发器输入,抗噪能力强,输入阈值高电平 2V、低电平 0.8V。
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电源与温度:
- 宽电源电压:2.5V±5% 至 5.5V±10%,兼容 TTL/CMOS 电平;
- 宽工作温度:-40°C 至 125°C(车规级 Grade 1),结温可达 150°C。
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隔离与安全特性:
- 隔离电压:窄体 SOIC8 封装3.75kVRMS,宽体 SOIC16 封装5kVRMS,隔离栅寿命 > 40 年;
- 共模瞬变抗扰度(CMTI):±150kV/μs(典型值),有效抑制高频噪声;
- 安全认证:通过 UL1577、VDE、CQC、TUV 认证,支持加强绝缘(宽体)和基本绝缘(窄体)。
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功耗与输出:
- 低功耗:典型电流 1.5mA / 通道(5V,1Mbps),6.6mA / 通道(5V,100Mbps);
- 输出特性:轨到轨输出,50Ω 输出阻抗,支持灌 / 拉电流 4mA(5V),故障安全模式下输入侧掉电时输出固定高 / 低电平。
领域 |
典型场景 |
工业自动化 |
传感器信号隔离、PLC 控制链路 |
电机控制 |
逆变器驱动信号隔离、伺服系统 |
汽车电子 |
电池管理系统(BMS)、车载传感器网络 |
电源与能源 |
隔离开关电源、太阳能逆变器 |
医疗电子 |
医疗设备安全隔离、生物信号采集 |
数据采集 |
隔离 ADC/DAC、高速数据总线 |
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封装类型:
- SOIC8 窄体(S):尺寸 4.90mm×3.90mm,适用于空间受限场景,额定耐压 3.75kVRMS;
- SOIC16 宽体(W):尺寸 10.30mm×7.50mm,支持更高耐压 5kVRMS,提供更大爬电距离(8mm)。
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型号命名规则:
CA-IS372X[L/H]-[S/W]-Q1
X:20(双前向)、21(一前一后)、22(一后一前)
L/H:默认输出低/高电平
S/W:窄体/宽体封装
示例:CA-IS3721LW-Q1(宽体封装,1 前 1 反向通道,默认低电平,5kVRMS)。
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绝对最大额定值:
参数 |
最小值 |
最大值 |
单位 |
电源电压(VDDA/VDDB) |
-0.5 |
7.0 |
V |
输入电压 |
-0.5 |
VDD+0.5 |
V |
结温 |
— |
150 |
°C |
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电气特性(典型值,5V 电源):
参数 |
数值 |
高电平输出电压(VOH) |
VDD-0.4V(4.8V) |
低电平输出电压(VOL) |
0.2V |
输入漏电流(IIH/IIL) |
±20μA |
输出阻抗 |
50Ω |
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时序特性(典型值):
参数 |
数值 |
传播延迟(tPLH/tPHL) |
12ns |
脉冲宽度失真(PWD) |
1ns |
最小脉冲宽度 |
5ns |
答案:
- 窄体 SOIC8 封装(S 后缀):额定隔离电压3.75kVRMS,爬电距离 4mm,适用于基本绝缘场景;
- 宽体 SOIC16 封装(W 后缀):额定隔离电压5kVRMS,爬电距离 8mm,支持加强绝缘,适用于高安全等级需求。
答案:
- 通道方向:
- CA-IS3720:2 个前向通道(A→B);
- CA-IS3721:1 个前向(A→B)+1 个反向(B→A)通道;
- CA-IS3722:1 个反向(A→B)+1 个前向(B→A)通道(与 CA-IS3721 反向)。
- 故障安全模式:
- L 后缀:输入侧掉电时默认输出低电平;
- H 后缀:输入侧掉电时默认输出高电平。
答案:
- 功耗特性:
- 低速场景(1Mbps):典型电流 1.5mA / 通道(5V);
- 高速场景(100Mbps):典型电流 6.6mA / 通道(5V)。
- 优化建议:
- 选择合适的电源电压(如 2.5V 降低静态功耗);
- 避免高频信号冗余传输,利用故障安全模式减少无效功耗;
- 搭配低负载电容(≤15pF)降低动态损耗。

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